CATEGORII

Contul Meu

CATEGORII
Coșul dvs

MGW12N120 IGBT - Tranzistor Bipolar cu Poartă Izolată de Înaltă Tensiune

MGW12N120 IGBT - Tranzistor Bipolar cu Poartă Izolată de Înaltă Tensiune
MGW12N120 IGBT - Tranzistor Bipolar cu Poartă Izolată de Înaltă Tensiune
Comenzile dvs. plasate înainte de ora 16:30 în zilele lucrătoare sunt expediate în aceeași zi. Transport gratuit peste 150 RON.
7.01ron
  • Stoc: În Stoc
  • Model: A1269.MGW12N120

MGW12N120 IGBT: Tranzistor bipolar cu poartă izolată de înaltă tensiune pentru aplicații de comutare a puterii

MGW12N120 este un tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT) robust, conceput pentru aplicații de comutare a puterii de înaltă tensiune și curent ridicat. Acest IGBT combină capacitatea de comutare rapidă a unui MOSFET cu capacitatea mare de curent și tensiunea de saturație scăzută a unui tranzistor bipolar, ceea ce îl face o alegere ideală pentru electronica de putere.

Caracteristici cheie ale IGBT-ului MGW12N120

IGBT-ul MGW12N120 se mândrește cu câteva caracteristici cheie care îl fac o alegere remarcabilă pentru aplicațiile de comutare a puterii:

  • Tensiune colector-emitor (VCES):IGBT-ul are o tensiune de transmisie (VCES) de 1200 V, ceea ce îi permite să gestioneze niveluri ridicate de tensiune.
  • Curent de colector (IC):Cu un circuit integrat de 12A, poate gestiona niveluri ridicate de curent.
  • Pachet:IGBT-ul vine într-o capsulă TO-247, care oferă o gestionare termică excelentă.
  • Viteză de comutare:IGBT-ul are o viteză mare de comutare, fiind potrivit pentru aplicații de control al invertoarelor și motoarelor.
  • Eficienţă:Oferă o eficiență ridicată cu pierderi de conducție reduse.

Aplicații tipice ale IGBT-ului MGW12N120

IGBT-ul MGW12N120 este utilizat în mod obișnuit într-o varietate de aplicații:

  • Acționări pentru motoare industriale:Capacitățile sale de înaltă tensiune și curent îl fac potrivit pentru acționările motoarelor industriale.
  • Invertoare și convertoare de putere:Viteza mare de comutare a IGBT-urilor este ideală pentru invertoare și convertoare de putere.
  • Sisteme de energie regenerabilă:Este utilizat în sistemele de energie regenerabilă datorită eficienței sale ridicate și pierderilor reduse de conducție.
  • Circuite de comutare de mare putere:Designul robust al IGBT-ului îl face potrivit pentru circuitele de comutație de mare putere.
Comenzile dvs. plasate înainte de ora 16:30 în zilele lucrătoare sunt expediate în aceeași zi.

Nu există recenzii pentru acest produs.

Scrie o recenzie

Notă: HTML nu este tradus!
Rău           Bine

Categoria Produse

2N3819 JFET cu canal N: Soluția dumneavoastră cu tranzistor cu zgomot redus pentru amplificare RF și audio2N3819 este un tranzistor JFET (Junction Fie..
3.00ron
Tranzistor SMD PNP 2N3906 – Ideal pentru amplificare și comutare de uz general2N3906 se remarcă ca un tranzistor bipolar cu joncțiune (BJT) PNP utiliz..
0.83ron
JFET 2N5460 cu canal P: Excepțional pentru amplificarea semnalului cu zgomot redus și impedanță de intrare ridicatăTranzistorul 2N5460 se remarcă ca u..
3.04ron
MOSFET SMT cu canal N 2N7002 – Comutare eficientă a nivelului logic într-o capsulă compactă SOT-232N7002 este un MOSFET compact cu mod de amplificare ..
0.83ron
Tranzistor de putere PNP 2SA1943 – Amplificare superioară de mare putere într-o capsulă TO-2462SA1943 este un tranzistor bipolar cu joncțiune (BJT) PN..
11.99ron
Tranzistor de putere NPN 2SD882 - Proiectat pentru comutație de putere medie în capsulă TO-1262SD882 este un tranzistor bipolar NPN (BJT) robust, meti..
2.31ron
Adaugă în coș

WhatsApp Chat

Bună ziua! Bine atı venit lâ ElectronicMarket Cum v-am putea ajuta? Vă rugăm să faceți clic pe unul dintre reprezentanții noștri de mai jos pentru a discuta pe WhatsApp.