MOSFET de putere cu canal N IRF510 – TO-220

IRF510 este un MOSFET de putere cu canal N de înaltă performanță, proiectat pentru comutare eficientă a puterii în aplicații de intensitate mică până la medie. Versatilitatea sa îl face o alegere populară pentru amplificatoare RF, regulatoare de comutare, amplificatoare de putere și o gamă largă de circuite de uz general.

🔧 Caracteristici cheie ale MOSFET-ului de putere cu canal N IRF510

• Pachet:TO-220
• Tensiune dren-sursă (VDSS):100V
• Curent de drenaj continuu (ID): 5.6A
• Disiparea puterii (PD): 43W
• Tensiunea de prag a porții (VGS(th)):2,0–4,0V
• RDS(activat) (Max): 0,54Ω
• Temperatura de funcționare:-55°C până la +150°C

🧰 Aplicații ale MOSFET-ului de putere cu canal N IRF510

• Surse de alimentare în comutație
• Amplificatoare RF și audio
• Circuite alimentate de baterii
• Invertoare și convertoare
• Electronică educațională și amatorică

📦 Ce este inclus în pachet?

• 1 × MOSFET de putere cu canal N IRF510 – TO-220